三星HBM4芯片冲刺英伟达认证，12月见分晓

三星电子与英伟达合作的HBM4内存芯片认证测试已接近尾声，预计12月公布的结果将标志着该公司近年来在高端内存市场取得最重大的复苏之一。与此同时，还有报道称，三星已对其内存研发部门进行重组，以稳定HBM的生产。

报道称，三星的HBM4评估已进入最后阶段，最早可能于2025年12月完成。初步评估结果显示，HBM4在速度、能效和可靠性方面均表现良好。

三星的HBM4样品已超过英伟达下一代GPU所需的11Gbps传输速率。这标志着三星在HBM3E周期中遭遇了逆转，当时由于良率和稳定性问题而落后于竞争对手。在HBM4阶段，三星通过将增强型1c级DRAM与4nm逻辑基片相结合，缩小与竞争对手的差距。这种配置对于应对超过11Gbps传输速率后出现的发热量和功耗急剧上升至关重要。

行业分析师表示，预计12月初公布的最终结果可能会重新平衡HBM市场格局。如果认证成功，三星的样品出货速度将加快，客户群体也将更加多元化，市场结构将转向更加均衡的两家供应商格局。

如果三星获得英伟达的批准，分析师认为这将是该公司多年来最强劲的反弹，并可能从2025年开始重塑内存市场格局。随着微软、Meta和谷歌等云服务提供商锁定2025年和2026年的HBM供应，采购模式正从短期周期转向基于成熟制造可靠性的长期合同。

英伟达也在寻求避免过度依赖单一内存供应商。三星HBM4的强劲表现将有助于其供应商多元化战略。

HBM4对工程技术提出了极高的要求，包括精确的TSV对准、成熟的DRAM工艺以及在11Gbps以上速率下严格的散热和电源管理控制。虽然三星被认为在这些领域已经取得稳定的研发成果，但早期量产的良率仍然是最大的不确定因素。

业内人士警告称，如果测试结果不尽如人意，竞争对手可能会进一步巩固其领先地位。HBM4被认为是行业内“最关键的战场”，明年的市场格局将很大程度上取决于英伟达的决定。

三星已成立整合的内存研发部门，并将HBM研发团队划归其设计部门。此次重组由三星副总裁兼DRAM产品与技术团队负责人Hwang Sang-joon领导，推翻了2024年为解决良率问题而将HBM团队剥离的决定。

三星用于HBM4的1c级DRAM近期良率已达到70%左右，这增强了三星内部对HBM相关研发和制造趋于稳定的信心。

三星计划通过将更先进的DRAM工艺与下一代芯片技术相结合，推进其在HBM4、HBM4E以及未来HBM5领域的研发路线图。行业分析师表示，英伟达的最终认证结果将在很大程度上决定三星从2025年起的竞争力，以及HBM市场是否会转变为稳定的双供应商结构。（校对/赵月）