MDDTVS二极管的关键参数详解：钳位电压、响应时间与功率能力分析
在电子系统设计中，为了应对静电放电（ESD）、雷击、电源浪涌等突发性过电压干扰，MDDTVS二极管被广泛用于通信接口、电源输入、数据线、汽车电子等敏感电路的前端保护。TVS的作用看似简单，实则其核心参数关系到系统防护的精度、效率与可靠性。本文将深入解析MDDTVS二极管的三大关键参数：钳位电压、响应时间与功率能力，帮助工程师做出精准选型。
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MDDTVS与压敏电阻的对比分析：哪种才是你的防护首选？
在电子系统防护设计中，应对浪涌电压、瞬态干扰及静电放电（ESD）是关键任务。MDDTVS（瞬态电压抑制）二极管和压敏电阻（MOV）是两种常用的过压保护器件，它们在工作原理、响应时间、使用寿命、适用场景等方面各具特点。正确理解这两者的差异，有助于工程师做出最优的器件选择，确保系统的稳定与可靠。2025-05-07 阅读：629 -
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MDDTVS管失效模式大起底：热击穿、漏电流升高与反向击穿...
在电子设计中，MDD-TVS管是保护电路免受瞬态电压冲击的重要器件。然而，TVS管本身在恶劣环境或选型、应用不当时，也可能出现失效问题。作为FAE，本文将系统梳理TVS管常见的三大失效模式——热击穿、漏电流升高与反向击穿，帮助大家深入理解失效机理，提升电路防护的可靠性。2025-04-28 阅读：1839 -
关于MDD-TVS二极管工作原理全解析：如何在瞬间保护你的电路？
在电子系统中，瞬态电压冲击（如ESD、雷击、浪涌等）是导致电路损坏的常见原因之一。为了有效防护，MDD-TVS二极管成为工程师们的重要选择。2025-04-27 阅读：989 -
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MDDESD静电放电对电子元器件的影响：从损坏机制到防护策略
MDD静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）是电子系统中极为常见又极易被忽视的威胁之一。特别是在半导体分立器件和IC封装日趋微型化、敏感度逐步提升的今天，MDDESD成为导致电子元件失效、系统异常甚至整机故障的“隐形杀手”。2025-04-21 阅读：1472 -
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MDD超快恢复二极管在高频开关电源中的应用：如何提高转换效率？
在高频开关电源中，整流元件的性能直接影响能量转换效率。传统整流二极管由于较长的反向恢复时间（trr），在高频环境下会产生较大的开关损耗，降低整体效率。MDD超快恢复二极管以其短反向恢复时间、低反向电流、低开关损耗的特点，成为高频开关电源整流环节的理想选择。 -
MDD超快恢复二极管vs.普通整流二极管：核心参数对比与应用选择
在整流电路中，二极管的选择至关重要，直接影响电源系统的转换效率、开关损耗和可靠性。常见的MDD整流二极管包括普通整流二极管和超快恢复二极管。两者在恢复时间、正向压降、功率损耗等方面存在显著差异，适用于不同的应用场景。