MDD稳压二极管的极限参数详解：功耗、电流与击穿电压如何权衡？
在电子系统设计中，MDD稳压二极管（Zener Diode）作为经典的电压钳位和稳压元件，广泛应用于电源电路、电压参考、过压保护等场景。为了确保其在电路中的稳定运行与长寿命，深入理解其关键极限参数——击穿电压（Vz）、稳压电流（Iz）与功耗能力（Pz）——显得尤为重要。本文将从这三个核心参数出发，解析它们之间的相互关系及如何在实际设计中进行合理权衡与选型。
深圳辰达半导体有限公司
省级“专精特新”
联系人：贺小姐
联系电话：18926067185
联系地址：广东省深圳市龙华区民塘路328号鸿荣源北站中心B座13楼
- 了解企业
-
-
-
如何设计高可靠性的稳压电路？MDD稳压二极管的典型应用实战
在电子产品的小型化、高效率、长寿命趋势日益明显的今天，稳压电路的可靠性直接关系到整机性能和产品稳定性。作为现场应用工程师（FAE），我们常常会遇到客户在电路设计中对稳压方案既要求简单，又要求高可靠性。在这类需求中，MDD稳压二极管（Zener Diode）以其结构简单、成本低廉、响应快速等优点，成为构建高可靠性稳压电路的理想选择。2025-05-12 阅读：609 -
多层级ESD防护体系构建：MDDTVS二极管如何与其他元件协同作战？
在现代电子系统中，静电放电（ESD）是一种常见但又极具破坏性的威胁。无论是消费电子、通信设备，还是汽车电子和工业控制系统，ESD都可能导致器件性能下降甚至完全失效。为确保系统长期稳定运行，构建多层级ESD防护体系显得尤为关键。而在这一体系中，MDDTVS（瞬态电压抑制）二极管作为第一道防线，扮演着核心角色，但其并非“单打独斗”，而是与其他防护元件协同配合，共同构筑稳固的防护屏障。2025-05-09 阅读：748 -
-
MDDTVS与压敏电阻的对比分析：哪种才是你的防护首选？
在电子系统防护设计中，应对浪涌电压、瞬态干扰及静电放电（ESD）是关键任务。MDDTVS（瞬态电压抑制）二极管和压敏电阻（MOV）是两种常用的过压保护器件，它们在工作原理、响应时间、使用寿命、适用场景等方面各具特点。正确理解这两者的差异，有助于工程师做出最优的器件选择，确保系统的稳定与可靠。2025-05-07 阅读：551 -
-
-
MDDTVS管失效模式大起底：热击穿、漏电流升高与反向击穿...
在电子设计中，MDD-TVS管是保护电路免受瞬态电压冲击的重要器件。然而，TVS管本身在恶劣环境或选型、应用不当时，也可能出现失效问题。作为FAE，本文将系统梳理TVS管常见的三大失效模式——热击穿、漏电流升高与反向击穿，帮助大家深入理解失效机理，提升电路防护的可靠性。2025-04-28 阅读：1623 -
关于MDD-TVS二极管工作原理全解析：如何在瞬间保护你的电路？
在电子系统中，瞬态电压冲击（如ESD、雷击、浪涌等）是导致电路损坏的常见原因之一。为了有效防护，MDD-TVS二极管成为工程师们的重要选择。2025-04-27 阅读：848 -
-
MDDESD静电放电对电子元器件的影响：从损坏机制到防护策略
MDD静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）是电子系统中极为常见又极易被忽视的威胁之一。特别是在半导体分立器件和IC封装日趋微型化、敏感度逐步提升的今天，MDDESD成为导致电子元件失效、系统异常甚至整机故障的“隐形杀手”。2025-04-21 阅读：1293