MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策
在功率电子系统中，MOSFET 以其高开关速度和低导通损耗而被广泛应用于电源管理、马达驱动及DC-DC转换等领域。然而，FAE在现场调试和失效分析中发现，栅极电压异常或失控是造成MOSFET失效的常见原因之一。栅极作为控制端，虽然不直接承载大电流，但其电压的稳定性却直接决定了MOS的导通状态与系统安全。任何一次“栅极失控”，都可能导致器件击穿、短路甚至整机损坏。
深圳辰达半导体有限公司
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MDD桥堆整流后电压异常或波形畸变的原因与解决方案
在电源电路中，桥堆（Bridge Rectifier）是将交流电（AC）转换为直流电（DC）的关键器件。它由四个二极管组成，按特定结构连接成全波整流电路，输出经过滤波后即可得到稳定的直流电压。然而，在现场应用中，工程师常会遇到桥堆整流输出电压异常、波形畸变或不稳定等问题。这类现象不仅影响电源效率，还可能导致后级电路异常甚至损坏。作为 MDD辰达半导体的 FAE，我们需要从器件特性、电路设计、负载匹配等多个角度分析原因并提出对策。 -
三极管漏电流偏大问题解析与解决方案
在电子电路应用中，MDD辰达半导体 三极管 作为常见的基础器件，被广泛用于放大与开关控制。然而，工程师在测试与使用中，经常会遇到一个典型现象：三极管的漏电流（主要指反向漏电流 I_CBO、I_CEO）偏大。这种现象轻则带来电路功耗上升、静态电压漂移，重则导致器件发热、失效甚至影响系统稳定性。作为 FAE，我们需要帮助客户理解其原因并提供优化建议。 -
三极管 PCB 布局问题与优化建议
MDD辰达半导体 三极管 在电子电路中广泛应用于放大、开关、调制等场合。虽然器件本身的性能参数很重要，但在实际应用中，PCB 布局往往直接决定了电路的稳定性、速度以及可靠性。很多工程师在调试时会发现：同样的三极管，换一个 PCB 布局，性能差异竟然非常大。这说明三极管的 PCB 布局问题不容忽视。下面结合常见问题和优化经验进行分析。 -
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高压二极管应用中，是否有足够铜箔/散热片，结温是否接近极限？
在半导体器件的可靠性设计中，温度始终是一个绕不开的话题。无论是功率二极管、TVS 管还是高压二极管，其寿命与结温（Tj）有着直接关系。客户常常会问：我的电路中参数都选对了，为什么二极管仍然失效？作为 MDD辰达半导体 FAE，我们往往会追溯到一个核心问题——是否有足够铜箔/散热片支撑散热，器件结温是否已经接近极限。2025-09-17 阅读：434 -
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