在功率电子设计中，快恢复二极管凭借其优异的反向恢复特性，广泛应用于高频整流、电机驱动、电动车控制器、开关电源等场景。在大功率、高电压或高电流的应用中，单颗快恢复二极管可能无法满足工作需求，因此工程师常采用串联或并联方式进行扩展。然而，串并联设计并非简单的堆叠组合，实际应用中需面临诸如均压、均流、热分布等挑战。本文将结合工程案例，探讨快恢复二极管串并联的设计要点与实战应对策略。

在电源管理领域，高效、可靠的功率器件是提升系统性能的关键。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合SGT屏蔽栅技术，推出全新N沟道增强型MOSFET系列产品，其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封装，符合RoHS标准，以其卓越的开关性能与低导通电阻，成为同步整流、电机驱动等应用的理想选择。

快恢复二极管凭借较短的反向恢复时间和较低的开关损耗，在高频整流、PFC电路和逆变器等应用中广泛使用。随着电源系统的功率密度不断提升，单颗二极管的耐压或电流能力往往不足，这就需要通过串联或并联的方式实现更高的耐压或电流能力。然而，FRD在串并联应用中会面临均压、均流以及热稳定性的挑战。

为确保整流二极管在高温、高湿、振动、冲击等极端环境下的可靠性，需通过一系列标准化实验测试进行验证。结合国际测试标准与工程实践，系统介绍测试方法及实施要点作为分享。

在高温或高振动环境下，整流二极管的降额曲线需结合热力学和机械应力进行综合调整，以确保长期可靠性。

MDD肖特基整流桥因其低正向压降、高速开关特性和良好的导通能力，广泛应用于电源适配器、LED驱动、DC-DC转换器、车载电源等中低压、高频整流场合。然而，在实际应用中，工程师常常会遇到肖特基整流桥失效的问题，如温升过高、反向漏电流异常、器件击穿等。本文将系统解析肖特基整流桥的三大典型失效模式及其背后的机理，并提出具体的设计与使用建议，助力提升电路的稳定性与可靠性。

在现代高效电源设计中，MOSFET并联技术广泛应用于要求大电流承载能力的电路中，如电动汽车、电源供应、功率放大器等。通过并联多个MOSFET，可以大幅提高电路的电流处理能力、降低导通损耗，并增强系统的整体可靠性。然而，MOSFET并联设计并非简单的“多加几个”过程，必须考虑到均流、寄生参数与热平衡等诸多因素。本文将探讨如何在实际设计中有效应对这些挑战，优化并联MOSFET的性能。

在功率电子系统中，MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统设计的效率与稳定性。本文将详细分析MOSFET与IGBT的选择对比，特别是在中低压功率系统中的权衡。

在USB PD快充电源设计中，MOSFET作为功率控制与转换的核心器件，发挥着关键作用。随着充电功率向65W、100W甚至更高迈进，对MOSFET的性能提出了更严苛的挑战。本文将从应用挑战出发，结合FAE工程实践，分析MOSFET在USB PD快充中的关键设计要求与应对策略。

在现代高效率电源系统中，同步整流技术已成为主流选择，尤其是在DC-DC变换器、USB快充适配器、服务器电源和车载电源等场景中。同步整流相比传统的肖特基二极管整流，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。其核心器件——MOSFET，在设计中扮演着至关重要的角色。本文将深入探讨同步整流MOSFET的选型要点和提升效率的设计技巧。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电力电子领域不可或缺的开关元件，尤其在DC-DC变换器（直流-直流电压变换器）中扮演着至关重要的角色。随着电子设备功率需求的增加，DC-DC变换器被广泛应用于各种电源系统中，如开关电源、电池充电器、LED驱动、电动汽车充电系统等。MOSFET的性能直接决定了DC-DC变换器的效率、热管理和响应速度，因此，理解MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用，并掌握优化策略，是设计高效电源系统的关键......

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其开关速度快、导通电阻低、控制特性优越，已广泛应用于高频电子电路，如开关电源、无线通信、高频逆变器等系统。随着电路工作频率的不断提升，MOSFET的开关性能愈加重要，特别是在高频应用中，MOSFET的开关速度直接影响系统的效率、热管理和稳定性。本文将从开关速度的角度出发，分析MOSFET在高频应用中的性能表现及其对系统的影响。