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深圳辰达半导体有限公司

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  • 告别充电难题,MDD 辰达半导体针对清洁电器推出分立器件解决方案

    告别充电难题,MDD 辰达半导体针对清洁电器推出分立器件解决方案

    随着生活水平的提高和智能家居概念的深入人心,清洁家电正以前所未有的速度走进千家万户。据统计,全球智能扫地机器人市场规模已超过百亿美元,在这一快速发展的市场中,产品的可靠性、安全性和智能化水平已成为消费者选择的关键因素。
    2026-01-14 阅读:688 关键词: 清洁家电 扫地机器人 智能化充电
  • 散热设计不良为何会导致 MOSFET 过热失效?

    散热设计不良为何会导致 MOSFET 过热失效?

    在电源、BMS、车载电子、电机驱动等应用中,MDD辰达半导体的 MOSFET 常年工作在大电流、高频、高环境温度条件下。很多现场失效案例中,MOSFET 本身参数选型并不低,但仍然频繁烧毁,最终溯源发现,根本原因并非器件质量,而是散热设计不良。 散热问题往往是“隐性故障”,短期测试可能正常,但在长期运行或高温环境下极易暴露。
    2026-01-12 阅读:562 关键词: MOSFET过热失效 MOSFET 辰达半导体
  • 二极管导通电压过高对效率的影响及优化方案

    二极管导通电压过高对效率的影响及优化方案

    在现代电子电路中,二极管被广泛应用于整流、电源管理、保护电路等领域。二极管的导通电压(V_f)是其一个重要参数,它决定了电流通过二极管时的电压降。如果二极管的导通电压过高,它将直接影响电路的效率,尤其在电源设计和电能转换应用中,功率损失和效率的损害尤为显著。本文MDD辰达半导体将探讨二极管导通电压过高对电路效率的影响,并提出优化解决方案,以提高电路的性能。
    2026-01-05 阅读:552 关键词: 二极管导通电压 二极管 低V_f二极管 MOSFET替代
  • MOSFET开关速度不够导致功率损失及解决方案

    MOSFET开关速度不够导致功率损失及解决方案

    MOSFET(场效应晶体管)广泛应用于现代电子电路,特别是在高效电力电子和开关电源设计中。其高速开关特性使其在很多高频应用中成为理想的选择。然而,在某些应用中,由于MOSFET开关速度不足,可能导致功率损失增大,进而影响整个电路的效率和性能。本文MDD辰达半导体将探讨MOSFET开关速度不足导致功率损失的原因,并提供解决方案,以提高系统的性能和效率。
    2026-01-04 阅读:550 关键词: MOSFET 开关速度 功率损失 栅极驱动 门电荷 散热设计
  • MDD保护器件在应用中的效果及常见问题与解决方案

    MDD保护器件在应用中的效果及常见问题与解决方案

    保护器件在现代电子产品中扮演着重要角色,尤其是在汽车电子、通信设备、消费电子及工业控制系统中。它们的主要作用是防止电路组件遭受过电压、过电流、瞬态干扰、静电放电等异常情况的损害,从而延长系统的使用寿命,提升系统的可靠性和安全性。本文MDD辰达半导体将深入探讨保护器件的工作原理、应用效果,以及常见问题和解决方案。
  • 汽车电子中的分立器件应用与选择指南:如何提高可靠性与性能

    汽车电子中的分立器件应用与选择指南:如何提高可靠性与性能

    随着汽车行业的迅猛发展,尤其是电动汽车(EV)和自动驾驶技术的兴起,汽车电子系统变得更加复杂和多样化。在这些系统中,分立器件是实现高效、稳定、可靠功能的核心组成部分。本文 MDD辰达半导体 将详细探讨分立器件在汽车电子中的应用,并介绍如何通过合理选择这些器件提高整体系统的性能和可靠性。
    2025-12-22 阅读:673 关键词: 汽车电子 分立器件 TVS二极管 MOSFET IGBT 可靠性
  • 关于0.42mΩ超低导通电阻MOSFET的市场应用与挑战

    关于0.42mΩ超低导通电阻MOSFET的市场应用与挑战

    在电源管理系统和高效电池管理系统(BMS)设计中,MOSFET作为开关元件,扮演着重要角色。由于其导通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生,因此低导通电阻的MOSFET成为越来越多高效系统设计的优选。然而,在实际市场中,是否真的存在0.42mΩ的超低导通电阻MOSFET?本文MDD将探讨这种超低导通电阻MOSFET的市场应用、优势及其面临的挑战。
    2025-12-16 阅读:491 关键词: MOSFET 超低导通电阻 技术挑战 市场应用 成本与性能
  • BMS设计中如何选择MOSFET——关键考虑因素与最佳实践

    BMS设计中如何选择MOSFET——关键考虑因素与最佳实践

    在电池管理系统(BMS)设计中,辰达半导体 MOSFET作为开关元件,负责电池充放电、均衡、过流保护和温度控制等功能的实现。MOSFET的性能直接影响系统的效率、可靠性和安全性。因此,在选择MOSFET时需要综合考虑多个因素,以确保其满足BMS的高效和稳定运行要求。本文将介绍在BMS设计过程中选择MDD的MOSFET时需要重点关注的关键因素和最佳实践。
    2025-12-15 阅读:516 关键词: BMS设计 MOSFET 关键参数 选择实践 热管理
  • 如何判断MDDESD二极管的热失效与修复

    如何判断MDDESD二极管的热失效与修复

    MDD辰达半导体ESD二极管的热失效通常与其长时间在过电流和高温环境中工作相关。在过电压、过电流的脉冲作用下,二极管的温度可能迅速升高,超过其最大工作温度,从而导致热失效。这不仅会导致二极管的性能下降,还可能导致二极管的永久性损坏。为了确保电路的可靠性,MDDFAE工程师需要掌握如何快速诊断ESD二极管的热失效并采取相应的修复措施。
  • TVS二极管的雪崩测试:原理、步骤与常见问题

    TVS二极管的雪崩测试:原理、步骤与常见问题

    TVS二极管(瞬态电压抑制二极管)广泛应用于电路中保护敏感元器件免受瞬时过电压和浪涌电流的损害。为了确保TVS二极管能够在电路中稳定有效地发挥保护作用,雪崩测试(Avalanche Testing)是评估其可靠性和性能的重要步骤。雪崩测试能够模拟电压过载、浪涌等瞬态现象,检测二极管在高电压下的击穿能力及其恢复特性。本文将介绍MDD辰达半导体的TVS二极管的雪崩测试的原理、步骤及常见问题,帮助FAE工程师更好地理解和应对相关挑战。
    2025-12-08 阅读:787 关键词: TVS二极管 雪崩测试 测试步骤 常见问题 电路保护
  • 如何判断二极管的热失效情况

    如何判断二极管的热失效情况

    在电子产品的设计和应用中,二极管作为关键的辰达半导体元件,广泛应用于整流、保护、开关等各种电路中。然而,由于二极管的工作条件(如电流、温度和功率)可能超过其额定值,容易导致热失效。二极管的热失效是指由于温度过高而引起的性能下降或结构破坏。如何判断 MDD辰达半导体 二极管是否因热失效而导致故障,是每个FAE工程师需要掌握的技能。本文将介绍常见的二极管热失效判断方法以及应对策略。
  • 高频整流应用中常用的MDD二极管选择及特点

    高频整流应用中常用的MDD二极管选择及特点

    高频整流广泛应用于现代开关电源、逆变器、RF电路以及通信设备中。与低频整流不同,高频整流要求二极管具备更高的开关速度、更低的反向恢复时间和更低的导通损耗。根据不同的电路需求,选用合适的MDD二极管对于提高效率、减少损耗、保持信号完整性至关重要。本文MDD将介绍在高频整流情况下常用的几种二极管类型及其性能特点。
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