日本160亿美元豪补Rapidus攻打台积电

国际电子商情13日讯 日本政府正持续加码对其先进半导体制造企业Rapidus的支持。日前，日本经济产业大臣赤泽亮正宣布，已批准在2026年度向Rapidus追加6315亿日元（约合39.5亿美元）的补助。此举旨在加速该公司进入竞争激烈的AI芯片制造领域，并支持其为首批客户富士通（Fujitsu）的生产工作。

日本经济产业省表示，这笔新资金将使政府在截至2027年3月的本财年内，对这家初创公司的补助和投资总额达到2.6万亿日元（约合163亿美元）。此外，日本经产省同期宣布，将对开发省电AI半导体的富士通和日本IBM提供最多760亿日元资金支援，相关制造预计将委托给Rapidus。

技术研发与制程目标

在技术层面，Rapidus设定了雄心勃勃的路线图。公司计划在2027年开始大规模生产基于2纳米制程的尖端半导体，长期目标是在1纳米先进制程节点上，将落后于行业领导者台积电的时间差缩短到半年左右。

据《日经XTECH》2026年3月30日报道，Rapidus首席技术官石丸一成在接受采访时坦承，公司在2025年7月宣布启动2纳米环绕栅极（GAA）晶体管试制时，晶体管表现并不理想，工艺技术和设备均未完全就绪。但在随后的快速改进中，其2纳米技术性能在去年9月至11月期间得到了显著提升。公司计划从2026年底开始生产客户设计的2纳米测试芯片，为2027年的量产奠定基础。

对于衔接2纳米和1纳米的1.4纳米节点，Rapidus计划在2026年内开始全面开发，目标是在2029年实现量产。公司将继续与IBM保持深度合作，其约一半的工程师位于美国纽约州，参与联合研发。

产能规划与性能参数

在产能方面，Rapidus正加速推进。据2026年2月的报道，该公司于2025年4月启动试产线，并于同年8月完成2纳米GAA测试芯片流片，计划在2026年第一季度向客户交付2纳米工艺设计套件（PDK）。公司预计在2027年初期的月产能为6000片晶圆，并计划在一年后的2028年将月产能大幅提升至约2.5万片。

在工艺性能上，Rapidus推出了名为“2HP”的2纳米工艺，其逻辑密度据称为237.31 MTr/mm²，与台积电N2工艺的参数基本持平，相较英特尔Intel 18A的184.21 MTr/mm²优势明显。

资本结构与政府角色

日本政府已成为Rapidus的最大股东。2026年2月27日的消息确认，Rapidus获得了总额2676亿日元的新投资，其中1676亿日元来自32家私营企业，另外1000亿日元由日本政府通过情报处理推进机构IPA提供。这使得日本政府持有Rapidus超过36%的股份，成为最大股东，但目前仅拥有11.5%的投票权及对重大事项的“金股”否决权。此外，日本政府在2026财年预算中还为Rapidus编列了进一步的投资与支助。

值得一提的是，Rapidus计划在2031财年左右进行首次公开募股（IPO），目标从公众市场筹集约3万亿日元，部分资金将有望获得政府贷款担保。

然而，Rapidus目前仍面临显著挑战。其在技术上与已开始量产2纳米芯片的台积电存在巨大差距。同时，与其他日本制造商一样，公司也受到地缘政治冲突引发的能源和原材料成本上涨的挤压。

在日本政策制定者看来，Rapidus在人工智能、量子计算等关键领域的成功和技术自主，对国家安全至关重要。这家由索尼、丰田、软银等八家日本龙头企业于2022年联合成立的公司，正承载着日本重塑先进半导体制造能力的国家雄心。