三星拟推3-5年存储供货协议，抢抓AI高利润窗口期
3月18日消息，据彭博社最新报道，作为全球存储芯片巨头的三星电子，正考虑彻底改变其传统的销售模式，计划与客户签订长达三至五年的长期供应合同。
在三星电子年度股东大会上，代表理事、副会长全永铉向股东透露了这一重大动向。他指出，面对2026年及以后AI内存芯片需求的爆炸式增长，传统的季度或年度协议已无法适应当前的市场节奏。三星正在积极评估将合同期限延长至三至五年，以确保核心客户能够获得稳定的货源，同时帮助三星自身平滑产能规划，避免盲目扩张带来的风险。
当前的存储市场已完全转变为“卖方市场”。数据显示，三星电子与SK海力士已于3月2日向客户发出通知，宣布第二季度DDR5颗粒价格统一上涨约40%，部分紧缺存储产品的涨幅甚至高达100%。
即便是拥有极强议价能力的苹果也未能幸免。据韩媒报道，苹果为iPhone 17系列敲定的三星LPDDR5X订单，价格较此前翻了一倍，长单优惠时代已成历史。
此外，华硕联席CEO许先越早在3月11日便公开表示，由于上游DRAM原厂的新产能受扩产周期限制，最快要到2027年底才能释放，因此内存缺货局面预计将持续至少两年。为保障产品出货稳定，华硕正积极与上游内存企业洽谈3至5年的中长期供货合作备忘录，希望能将原料价格锁定在可接受的水平。
供应端的紧张态势似乎愈发严峻。铠侠早在今年1月便宣布，其2026年的NAND闪存产能已全部售罄，并预测紧张局面将持续至2027年。SK海力士则表示，其2026年的高带宽内存（HBM）产能也已提前告罄。
SK海力士会长崔泰源在GTC 2026大会上更是直言，内存短缺的本质是晶圆产能不足，而要建设新的晶圆厂并实现量产至少需要4至5年。他预测，本轮供应短缺将持续到2030年，期间的供应缺口预计将长期维持在20%以上。
这一轮“超级周期”的核心驱动力无疑是AI。随着大模型训练与推理需求的井喷，传统内存产能被大量转用于生产专供英伟达等AI加速器的HBM（高带宽内存），导致通用型DRAM和NAND Flash产量受到挤压。据SEMI及产业数据分析，2026年全球存储产值预计将突破5500亿美元，首次超越晶圆代工规模，成为半导体产业的第一增长极。
据韩媒《朝鲜日报》报道，三星半导体（DS）业务今年有望创下历史最佳业绩，但管理层也在警惕2028年前后可能出现的市场转折。全永铉强调，公司一方面要抓住AI带来的高利润窗口期，另一方面必须提升运营效率，避免重蹈过去过度投资导致产能过剩的覆辙。
