六位数年薪“挖角”，苹果、英伟达等围猎韩国存储人才

据《朝鲜日报》及多家韩媒最新报道，包括英伟达、苹果、谷歌在内的美国科技巨头，正以惊人的六位数年薪为诱饵，在韩国掀起一场针对三星电子和SK海力士工程师的“定向挖角”风暴。

为了缩小与韩国企业在内存市场的长期差距，美国科技巨头开出了令人心动的价码。据报道，英伟达本月早些时候发布招聘信息，为专注于HBM开发的资深工程师提供最高达258,750美元的基本年薪。苹果公司紧随其后，上月发布了NAND闪存产品工程师职位，年薪上限更是高达305,600美元。

这场“抢人大战”的参与者远不止这两家巨头。中国台湾联发科已加入战局，为HBM工程师开出约26万美元的年薪；高通也开始在韩国招募3D DRAM研发人员。

作为谷歌AI基础设施核心组件——张量处理单元（TPU）的合作伙伴，谷歌和博通也在硅谷扩大了对HBM人才的招聘规模。谷歌正在寻找能评估HBM性能的专家，而博通则急需精通HBM、DDR及高速接口技术的测试验证人才。

而特斯拉CEO埃隆·马斯克更是亲自下场。他转发了特斯拉韩国公司招聘AI半导体设计师的公告，此举与其提出的“Terafab”愿景高度契合。

据悉，“Terafab”旨在打造一个集晶圆代工、大规模存储器生产和先进封装于一体的垂直整合制造中心，而韩国人才正是实现这一宏大蓝图的关键拼图。

此外，美光科技也不甘示弱，自去年底起便从三星和SK海力士“撬人”至其台湾台中工厂，不仅提供超过原薪资两倍的待遇，还附加了约3亿韩元（约合21万美元）的巨额签约奖金。

这场人才争夺战的核心，直指高带宽内存（HBM）和NAND闪存等关键领域，折射出AI算力爆发背景下，高端存储技术已成为制约行业发展的新瓶颈。

随着大语言模型参数量的不断攀升，传统内存架构已无法满足GPU对数据吞吐量的极致要求。HBM凭借其在单位面积内堆叠多层DRAM芯片并通过硅通孔（TSV）技术互连的特性，提供了远超GDDR显存的带宽和能效，成为AI训练和推理的“刚需”。

然而，全球具备HBM核心研发经验的工程师屈指可数，且高度集中在韩国的三星和SK海力士手中。这种极度的供需失衡，直接推高了人才的市场价格。

面对汹涌的“挖角”潮，韩国存储双雄正奋力抵抗。SK海力士在2026年初发放了创纪录的绩效奖金，总额相当于员工月基本工资的2964%。这一惊人数字源于该公司修订后的劳动协议，即把年度营业利润的10%拨入奖金池。鉴于SK海力士2025年凭借HBM热潮实现了47.2万亿韩元的营业利润，员工们分到了丰厚的红利。

三星电子同样动作频频，向半导体部门员工发放了高达2025年年薪47%的奖金，创下自AI内存热潮以来的最高纪录。

然而，业内分析人士警告称，仅靠一次性奖金可能难以从根本上遏制人才流失。硅谷资深工程师超过30万美元的稳定基本年薪（不含股票期权），构成了巨大的长期吸引力。