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英特尔CEO:美日荷联手打压,中国芯片技术,将落后10年
2024-01-23 来源:科技专家
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关键词:中国芯台积电芯片

中国芯片技术,到底落后全球顶尖技术有多少年?


去年上半年的时候,大家认为是8-10年左右,因为中国大陆明面上的技术是14nm,而台积电在上半年已经实现了3nm,14nm到3nm,中间相差了10nm、7nm、5nm、3nm这么四代,也就是10年左右。


不过到了去年下半年,情况又不一样了,华为麒麟9000S横空出世,这颗芯片的性能能够媲美高通5nm芯片骁龙888,而从晶体管密度来看,达到了7nm的水准。


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所以大家认为,中国大陆和全球顶尖芯片技术,其实相差不过2代,就是7nm到3nm的距离,中间,实际只有5年左右。


因为台积电是在2018年实现7nm的,我们在2023年,中间不就是隔了5年么?


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不过,大家也都清楚,在这颗芯片发布之后,美国又升级了芯片禁令,对AI芯片、半导体设备等的禁运要求更严格了。


同时日本、荷兰也听从美国的,全面执行了禁令,特别是日本,很多40nm以下的半导体设备,如果要出口到中国来,都要许可证。


而ASML的先进DUV浸润式光刻机许可证,也被吊销了,这对于中国大陆发展先进芯片工艺而言,确实又受到了一定的影响。


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也因为如此,在近日的2024年度“达沃斯世界经济论坛”上,英特尔CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 称,在美日荷的联合限制之下,中国与全球顶尖晶圆厂的技术差距为10年!


他认为,随着美国、日本、荷兰的联手,接下来中国芯片产业要追赶全球顶尖水平,会比较困难,因为半导体设备的限制,会阻碍中国半导体制造业的追赶。


他说,美国、荷兰、日本的政策,在10nm到7nm中设了一个底线,中国现有的工具,只能生产14nm,最多到7nm,突破不了这个底线,而台积电、三星、intel的技术,已经从3nm迈向2nm,甚至看向1nm去了……


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对此,不知道大家怎么看?理论上来看,确实是这么一个事情,如果我们不能有效且快速的突破7nm,那么未来落后10年也是很可能的。


但这只是表面理论上,接下来会不会这样,就只有让我们拭目以待了,我们也不可能一直原地踏步,所以想必英特尔CEO说的这种情况,肯定不会出现。



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