记忆体模组业者传出，DRAM原厂已发出预告第1季将调涨15~20%。李建樑摄（资料照）

继NAND Flash从2023年下半一路强势拉涨报价后，记忆体模组业者传出，三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）等记忆体大厂，正规划第1季DRAM价格调涨15~20%。

相较于2023年第4季DRAM价格相对持稳，业界研判，上游原厂涨价焦点将从NAND转移至DRAM，如DDR4、DDR5成下一波调涨重点，以加速改善营运亏损。

儘管市场需求尚未恢复稳定，但记忆体业界人士透露，近期收到三星提出预告，第1季DRAM报价至少将调涨15%起跳，至于NAND涨幅虽然没有明确提出，但预料仍将继续调涨，记忆体价格涨势将延续至2024年底。

此外，另有记忆体模组业者向客户提出通知，2024年第1季预期三星、美光将相继调涨DRAM报价约15~20%，由于12月DRAM报价仅微幅调涨2~3%，明显低于3D TLC NAND涨幅约10%的表现。

随著手机、伺服器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场供应将持续紧张，从1月起将调涨DRAM新报价，藉此催促客户须提前规划未来使用需求量。

业界认为，迈入2024年后，DRAM涨势风雨欲来，先前DDR4库存偏高，市场价格呈现疲弱，为了缩减营运亏损，预料2024年上半将锁定DDR4及DDR5成为涨价主力，至于DDR3产能及需求相对稳定，涨幅相对平缓。

虽然上游原厂从第1季启动DRAM补涨行情，记忆体模组业者认为并不意外，DRAM报价调涨动能主要仍来自于上游原厂的人为操作，且内部先前预判即将迎来单季涨幅约15~20%，近月来已陆续回补低价库存。

预计这波DRAM涨价由三星率先发动攻势，操作玩法几乎与2023年第3季NAND调涨相似，但未来DRAM涨幅能否如同NAND Wafer强劲攀升，需观察农曆年后的市场需求表现。

韩系DRAM大厂在2023年下半已连续2个季度降低DRAM稼动率，但第4季晶圆产出进入谷底，以三星为例，第4季DRAM产出仅约2023年第1季的7成左右，同时也逐步增加高阶制程的产出。

据了解，2024年第1季DRAM整体产能供应仍然节制谨慎，未来供应商将会持续减产成熟制程，并转向先进制程技术。

三大DRAM厂过去DDR4採用1X或1Y奈米制程，在2023年进入产品结束週期（EOL），三星及SK海力士（SK Hynix）将8Gb及16Gb产品改以1Z奈米节点为生产主力。

美光的成熟制程生产也进入尾声，DDR4全面推向至1α奈米制程，至于各家的DDR5 16Gb也将从1α转向至1β奈米的先进制程。

受到淡季及工厂盘点等影响，供应链需求释出量减少，业界指出，无论是DRAM或是NAND，2023年第4季上游供货状况并不紧缺，但前提是要能够接受原厂提出的价格，只要价格对了，原厂都有货可以卖。

显见市场实质买气并未复甦，短期内交易需求较为平淡，预料第1季上半及农曆新年前，终端市场仍存在观望气氛，第1~2季将是关键，若主要应用出海口需求顺利衔接，记忆体荣景将确定大好，产业供不应求将无悬念。

业界预期，随著上游原厂酝酿2024年第1季调涨DRAM报价，多家记忆体模组业者各自收到风声启动备货，预计供货给OEM厂的合约价可望延后一个季度跟进，预计从第2季起将全面反映DRAM涨势。