东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。
东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆变器
使用SiC MOSFET的3相逆变器
简易方框图
应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
特性：
- 4引脚TO-247-4L(X)封装：
栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特征 |
库存查询与购买 |
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漏 源 电压 VDSS （V） |
栅 源 电压 VGSS （V） |
漏极 电流 （DC） ID （A） |
漏 源 导通 电阻 RDS(ON) （mΩ） |
栅极 阈值 电压 Vth （V） |
总 栅极 电荷 Qg （nC） |
栅 漏 电荷 Qgd （nC） |
输入 电容 Ciss （pF） |
二极管 正向 电压 VDSF （V） |
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Tc＝25℃ |
VGS＝18V |
VDS＝10V |
VGS＝18V |
VGS＝18V |
典型值 |
测量 条件 VDS （V） |
VGS＝-5V |
|||||
典型值 |
典型值 |
典型值 |
典型值 |
|||||||||
TW015Z120C |
TO-247-4L(X) |
1200 |
-10至25 |
100 |
15 |
3.0至5.0 |
158 |
23 |
6000 |
800 |
-1.35 |
在线购买 |
TW030Z120C |
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
在线购买 |
||||||
TW045Z120C |
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
在线购买 |
||||||
TW060Z120C |
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
在线购买 |
||||||
TW140Z120C |
20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
在线购买 |
||||||
TW015Z65C |
650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
400 |
在线购买 |
||||
TW027Z65C |
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
在线购买 |
||||||
TW048Z65C |
40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
在线购买 |
||||||
TW083Z65C |
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
在线购买 |
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TW107Z65C |
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
在线购买 |
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注：
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
