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窃取600项DRAM工艺,三星前工程师泄露核心技术被判7年,被罚2亿韩元
迈为股份:公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM工艺
微结构不均匀性(负载效应)及其对器件性能的影响:对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
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