- 英特尔Fab 52满载月产能达4万片晶圆，2027年良率达先进水平
- 三星4nm制程良率提升至60%~70%，获美国AI公司超1亿美元芯片订单
- 英特尔18A良率显著提升，先进封装受益CoWoS“溢出效应”
- 消息称三星2nm Exynos 2600芯片良率达60%
- 2纳米反攻战！三星放话：今年要夺回代工王座 良率冲近七成
- 三星电子考虑解散1c DRAM良率专项小组 拼年内量产HBM4
- 传因良率问题，Intel 18A大规模量产将推迟至2026年一季度
- 传英特尔18A芯片良率持续低迷，仅5%~10%
- 机构：台积电、英特尔、三星电子2nm代工节点良率分别约为65%、55%、40%
- 三星全力提升2纳米良率至50%，力求追赶台积电
