AONR21357_DFN3x3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)封装:DFN3x3-8L类别:场效应管(MOSFET)最小包装:5000圆盘参数1:P沟道参数2:电压VDS/30V参数3:电流ID/50A参数4:内阻R/13mR标价:欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封装,额定电压为30V,连续电流高达50A。专为高功率密度应用设计,适用于电源转换、负载开关及电池管理系统,提供卓越的能效比与紧凑布局解决方案,满足现代电子设备的高性能需求。