HESDNC3V3B1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN1006-2L类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD)最小包装：10000圆盘参数1：Bi双向参数2：电压VRWM/3.3V参数3：电流IPP/9.0A参数4：电容Cj/15.0pF标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于3.3V系统，提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件，保护电路不受损害。仅15pF结电容确保高速数据线路上信号完整性良好，是现代便携式与高集成度电子设备的理想低电容ESD解决方案。
