HESDUC5VB1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN1006-2L类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD)最小包装：10000圆盘参数1：Bi双向参数2：电压VRWM/5.0V参数3：电流IPP/3.0A参数4：电容Cj/0.6pF标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路安全。超低结电容0.6pF设计，尤其适合高速数据传输接口，兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能，是现代电子设备的理想选择。
