BAT54A-G3-18_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:30V 参数3：VF:1V 参数4：IR:2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阳极结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。在导通状态下，其正向压降（VF）为1V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）低至2μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于需要高效整流、信号箝位或电源极性保护的电子电路中，尤其适合空间受限且需双通道协同工作的应用场景。
