NSVBAT54HT1G-HXY_SOD-323_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOD-323 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:30V 参数3：VF:0.8V 参数4：IR:2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。
