BAS40S_R1_00001_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为40V，正向压降（VF）为1V，在25℃条件下反向漏电流（IR）低至0.2μA，最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A。串联结构有助于提升整体反向耐压性能，适用于对低漏电流和紧凑布局有要求的便携设备、电池供电系统以及高频信号处理等电路应用。
