BAS40C_R1_00001_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:50V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.1uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为50V。其正向压降（VF）为1V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至0.1μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要双路整流或钳位功能的低压高频电路，常见于便携设备、消费类电子产品及电源管理模块中。
