B120-13-F-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:20V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；在反向偏置时，漏电流（IR）为500μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于低压高频整流、电源管理及信号箝位等电路，在注重效率与响应速度的应用中表现稳定可靠。
