SI2372DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID），在标准驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。其电气特性适用于中等功率的开关应用场景，如便携式电子设备的电源管理、负载开关及同步整流等电路。较低的导通电阻有助于控制功耗与温升，同时支持较高的开关频率，适合对体积和效率有一定要求的电子系统。
