B360A-E3/61T-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置时，漏电流（IR）为500μA。器件具备较强的浪涌承受能力，非重复峰值正向电流（IFSM）可达70A。适用于开关电源、适配器及各类高频整流电路中，对效率和响应速度有一定要求的场合。
