MS18_R1_00001_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:80V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:200uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和80V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）在额定条件下为200μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式电源及高频电路等场景，具备快速恢复与低损耗的特点。
