S100-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的浪涌电流承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达30A。该产品适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的整流与续流场合，凭借较低的VF值有助于提升系统效率，同时在高反压条件下保持稳定的反向阻断特性。
