MS110_R1_00001_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，具有1A的额定正向电流和100V的最大反向重复电压。其典型正向压降为0.85V，反向漏电流不超过100μA，体现出较低的导通损耗与良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源次级侧输出、电池保护电路以及各类对效率和响应速度有要求的电子系统中，有助于提升整体能效并减少热管理负担。
