BAS40-04Q-13-F-HXY_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，展现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号处理场景。串联配置有助于提升整体耐压能力，同时保持较低的导通损耗，适合用于便携式电子设备及精密电源管理电路中。
