BAS70-04Q-13-F_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:70V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:2.5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为70V。其正向压降为1.25V，在70V反向电压下漏电流仅为2.5μA，展现出良好的反向阻断特性和较低的导通损耗。器件可承受高达2A的峰值正向浪涌电流，适用于对耐压能力有一定要求的整流、箝位、信号解调及电源保护等电路。串联配置有助于在单一封装内实现更高的反向电压承受能力，便于紧凑型电路设计。
