NRVBA120ET3G-VF01-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:20V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为20V。其正向压降典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流为500μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于低压电源整流、信号箝位、电池反接保护及高频开关电路等场合，尤其适合对效率和热性能有明确要求的应用环境。
