BAS40-06-G3-18_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阳极结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，体现出良好的导通与阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于低电压、高效率要求的整流、箝位及信号切换电路，常见于消费类电子与便携设备中的电源路径管理。
