S100W_R1_00001_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为1A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合，能在保持稳定性能的同时有效降低系统热损耗。
