BR26-AU_R2_000A1_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为500μA，在关断状态下维持较低的静态功耗。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。常用于电源整流、续流保护及高频开关等场合，凭借肖特基结构实现快速响应与高效运行。
