BAS70-04-G3-18_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:70V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:2.5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流为0.2A，最大反向重复峰值电压达70V。其正向压降为1.25V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流仅为2.5μA，有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效表现。器件可承受高达2A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于需要多级电压钳位、信号整流或极性保护功能的电子电路，尤其适合对体积和串联性能有特定要求的应用场景。
