BAS70DW-04-7-F-HXY_SOT-363_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.15A 参数2：VR:75V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:1uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用2对串联式配置，正向电流（IF）为0.15A，反向重复峰值电压（VR）达75V。其正向压降（VF）为1.25V，在75V反向电压下漏电流（IR）仅为1μA，展现出优异的反向阻断能力和较低的导通损耗。器件可承受高达2.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高耐压与低漏电特性的整流、电压箝位及多路信号保护等电路场合。
