BYS10-35-E3/TR_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下实现较低的功率损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有要求的低压整流、开关电源输出级及高频续流等应用场景。
