BAS40-04-G3-08-HXY_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为0.2μA，表现出优异的阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对体积和效率敏感的小功率电子系统，如便携设备电源整流、信号检波及低功耗电路中的极性保护等场景。
