BAS70-04-G3-08-HXY_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:70V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:2.5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在工作状态下能效表现良好；反向漏电流（IR）低至2.5μA，有助于降低静态功耗。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对电压钳位、信号整流或电源极性保护有需求的电子电路中，尤其适合空间受限且需多级串联使用的场合。
