BAS40-06-E3-08-HXY_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阳极配置，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，体现出良好的导通与阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A。共阳极结构便于在双路信号或电源路径中实现紧凑布局，适用于需要同步整流或极性保护的便携式电子与通信设备中的电源管理及信号切换电路。
