GSF3404B_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的漏极电流（ID）为5.8A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至22毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对效率和热性能有一定要求的中低功率开关场景。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，在电源管理、负载开关及电池供电设备等应用中可实现稳定可靠的开关控制功能。
