SI4384DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为15A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于对体积和热管理有较高要求的电源转换、电池供电设备及高频开关电路中，能够在有限空间内实现稳定可靠的开关性能。
