SI4884BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有要求的电子设备。典型应用场景包括开关电源、便携式设备的电源管理、电机驱动及各类需要高效开关操作的电路中，能够在高频率工作条件下保持稳定可靠的性能。
