BR220_R1_00001_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.95V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的平均正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.95V，在导通状态下保持较低功耗；反向漏电流（IR）为100μA，展现出合理的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率与可靠性有明确要求的各类电子电路中。
