IRF7821TRPBFXTMA1_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5mΩ。器件在导通状态下功耗较低，适用于对效率和热性能有较高要求的电源管理及开关电路。其低导通电阻有助于减小通态损耗，提升系统整体能效，适合用于各类中低压功率转换与控制场景。
