FDS6298_G_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET额定漏极电流为15A，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于中等功率的电源转换、负载开关及电机控制等场合，在高频开关应用中表现出良好的动态特性与热稳定性，适合对体积和效率有要求的电子设备使用。
