AONR36326C_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。较低的导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件在高频开关条件下仍能保持良好的动态性能，适用于电源转换、电池管理系统、电机控制以及各类高效率开关电路中，满足对紧凑布局和热性能要求较高的设计需求。
