SI4420DY,518_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7.5毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减小导通损耗，提升系统效率，在高频率开关或大电流负载条件下仍能保持良好性能。适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换、电池管理系统及便携式电子设备中的功率控制模块。器件结构优化了开关速度与导通特性的平衡，适合需要高效能与紧凑布局的应用场景。
