BAS70S-AU_R1_000A1_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.5A 参数2：VR:70V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:0.01uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式结构，具有0.5A的平均正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，反向漏电流（IR）仅为0.01μA，体现出良好的导通效率与极低的静态损耗。器件可承受1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于需要较高反向耐压与低漏电特性的整流、箝位及高频开关电路，尤其适合在空间受限且要求双二极管协同工作的电子系统中使用。
