DMN3032L-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有5.8A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在栅源驱动电压适配条件下导通电阻低至22毫欧。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于电源开关、负载控制以及便携式电子设备中的高效功率管理场景。器件在中等电流应用中表现出良好的热稳定性和开关响应特性。
