AON7702B_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在中等电流应用中表现出良好的导通特性和热稳定性，适用于对体积和效率有要求的电源管理场景。典型用途包括便携式电子设备的电源开关、多相供电系统中的负载切换，以及需要频繁启停或脉冲工作的电路结构，能够在保持较低功耗的同时实现可靠的开关性能。
