MBR29AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为0.85V，在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，展现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高效率电源整流、开关模式电源次级侧以及对可靠性要求较高的低压大电流输出电路。
