BX320_R1_00001_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.95V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，额定平均正向电流（IF）为3A，反向重复峰值电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为0.95V，在导通状态下具备较低的功率损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过100μA，展现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率、稳定性和瞬态电流耐受能力有要求的电源整流及高频开关电路。
